參數(shù)資料
型號： STB36NF02LT4
元件分類： 熱敏電阻
英文描述： THERMISTOR PTC 6V 1.10A RESETABL
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 36A條（?。﹟對263AB
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： STB36NF02LT4
3/8
STB36NF06L STP36NF06L
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 15 A
V
GS
= 5 V
11
80
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 30 V I
D
= 30 A V
GS
= 10 V
13
4.5
8
17.5
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 15 A
V
GS
= 5 V
20
13
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
30
120
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 30 A V
GS
= 0
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 30 A
V
DD
= 20 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
55
108
4
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
相關PDF資料
PDF描述
STB36NF06L FUSE,1.5A,RESETTABLE,SMDC150
STP3N100XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SOT-186VAR
STP3N50XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | SOT-186VAR
STP3N60FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-220VAR
STP3N60XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.4A I(D) | SOT-186VAR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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