參數(shù)資料
型號(hào)： STB3015L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO POWER MOSFET
中文描述： ? -通道30V的- 0.013歐姆- 40A條- D2PAK/TO-220 STripFETO的功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
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代理商： STB3015L
STB3015L
STP3015L
N - CHANNEL 30V - 0.013
- 40A - D
2
PAK/TO-220
STripFET
POWER MOSFET
PRELIMINARY DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.013
I
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
I
LOW GATE CHARGE A 100
o
C
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
I
FOR THROUGH-HOLE VERSION
CONTACT SALES OFFICE
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronics unique " Single Feature
Size
" strip-based process. The resulting tran-
sistor shows extremely high packing density for
low on-resistance, rugged avalanche charac-
teristics and less critical alignment steps therefore
a remarkable manufacturing reproducibility.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS IN HIGH
PERFORMANCE VRMs
I
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.0155
I
D
STB3015L
30 V
40 A
July 1998
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
V
DGR
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
30
V
30
V
V
GS
±
20
40
V
I
D
A
I
D
28
A
I
DM
(
)
160
A
P
tot
80
W
Derating Factor
0.53
W/
o
C
dv/dt(
1
)
Peak Diode Recovery voltage slope
7
V/ns
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 175
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area (
1
) I
SD
≤
40 A, di/dt
≤
200 A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX
175
o
C
1
3
D
2
PAK
TO-263
(Suffix "T4")
1
2
3
TO-220
1/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP3020 N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP3020L N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP33N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STP3NA50FI RxxPxx Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 05V; Output Voltage (Vdc): 15V; Power: 1W; EN 60950 certified, rated for 250VAC; UL-60950-1 / CSA C22.2 certified; 5.2kVDC Isolation for 1 Minute; Optional Continuous Short Circuit Protected; 2 Chamber Transformer System; UL94V-0 Package Material; Efficiency to 80%
STP3NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB3015LT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB30200CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對(duì)共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 15A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:160μA @ 200V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB3020L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET
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STB3060CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對(duì)共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 15A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1.2mA @ 60V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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