參數(shù)資料
型號： STB24NF10
廠商： 意法半導體
英文描述： N - CHANNEL 30V - 0.034ohm - 22A TO-263 STripFET] POWER MOSFET
中文描述： ? -通道30V的- 0.034ohm - 22A條，263 STripFET]功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 48K
代理商： STB24NF10
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
V
DD
= 80 V I
D
= 24 A V
GS
= 10 V
I
D
= 12 A
V
GS
= 10 V
58
45
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
30
6
10
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 27 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
Vclamp = 80 V
R
G
= 4.7
(Inductive Load, see fig. 5)
I
D
= 12 A
V
GS
= 10 V
49
17
ns
ns
t
d(off)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
I
D
= 24 A
V
GS
= 10 V
43
36
39
ns
ns
ns
SOURCE DRAINDIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
24
96
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 24 A
I
SD
= 24 A
V
DD
= 50 V
(see test circuit, fig. 5)
V
GS
= 0
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
100
375
7.5
ns
nC
A
(
) Pulsed:Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimitedby safe operatingarea
STB24NF10
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB24NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263AB
STB25NM60N N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB25NM60N-1 N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STF25NM60N N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STP25NM60N N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB24NF10_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100V - 0.0055OHM - 26A - TO-220 - D2PAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
STB24NF10T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 24A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
STB24NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB24NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V 0.16 Ohms 19A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB25N80K5 功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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