參數(shù)資料
型號(hào)： STB190NF04T4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
中文描述： N溝道40V的- 0.0039ohm - 120A條- D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET商標(biāo)第三功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/16頁(yè)
文件大小： 491K
代理商： STB190NF04T4
STP190NF04 - STB190NF04 - STB190NF04-1
Electrical characteristics
5/16
Table 5.
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(1)
1.
Pulse width limited by safe operating area.
Source-drain current
Source-drain current
(pulsed)
120
480
A
A
V
SD
(2)
2.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %
Forward on voltage
I
SD
= 120A, V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 190A,
di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 34V, T
j
= 150°C
(see
Figure 17
)
90
295
6.5
ns
nC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB19NF20 N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
STP19NF20 N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
STB20NK50Z RESISTOR ARRAY
STW20NK50Z N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247
STB20NK50Z-S Thick Film Resistor Network; Series:RNA4A; Resistance:47kohm; Resistance Tolerance:+/- 5 %; Power Rating:0.063W; Voltage Rating:25V; Temperature Coefficient:+/-250 ppm; Package/Case:10-SOIC; Network Circuit Type:Dual Termination
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STB19NM65NT4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFET
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