參數(shù)資料
型號： STB180N55
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 55V - 2.9m-ohm - 120A - D-2 PAK - TO-220 MDmesh-TM Low Voltage Power MOSFET
中文描述： N溝道55V的- 290歐姆- 120A條-的D - 2巴基斯坦-對220的MDmesh -商標(biāo)低電壓功率MOSFET
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代理商： STB180N55
TARGET SPECIFICATION
Rev 1
1/11
January 2006
11
This is a preliminary information on a new product foreseen to be developed. Details are subject to change without notice
STB180N55
STP180N55
N-CHANNEL 55V - 2.9m
- 120A - D2PAK - TO-220
MDmesh Low Voltage Power MOSFET
General features
■
ULTRA LOW ON-RESISTANCE
■
100% AVALANCHE TESTED
Description
This N-Channel enhancement mode MOSFET is
the latest refinement of STMicroelectronic unique
“Single Feature Size“ strip-based process with
less critical aligment steps and therefore a
remarkable manufacturing reproducibility. The
resulting transistor shows extremely high packing
density for low on-resistance, rugged avalanche
characteristics and low gate charge
.
Applications
■
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION
Order codes
Internal schematic diagram
Type
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STB180N55
55V
3.5m
120A (
Note
1)
STP180N55
55V
3.8m
120A (
Note
1)
1
3
D2PAK
1
2
3
TO-220
Sales Type
Marking
Package
Packaging
STB180N55
B180N55
D2PAK
TAPE & REEL
STP180N55
P180N55
TO-220
TUBE
www.st.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP180N55 N-CHANNEL 55V - 2.9m-ohm - 120A - D-2 PAK - TO-220 MDmesh-TM Low Voltage Power MOSFET
STB200NF04L N-CHANNEL 40V - 3 m ohm - 120 A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II MOSFET
STB200NF04L-1 N-CHANNEL 40V - 3 m ohm - 120 A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II MOSFET
STP200NF04L N-CHANNEL 40V - 3 m ohm - 120 A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II MOSFET
STB20NE06L N - CHANNEL 60V - 0.06ohm - 20A TO-263 STripFET] POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STB185N10F3 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A, D2PAK, TO-220 STripFET? Power MOSFET
STB185N55 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 55V - 2.9mohm - 120A - D2PAK/TO-220
STB185N55F3 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB18N20 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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