參數(shù)資料
型號(hào)： STB16PF06L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFET
中文描述： P通道60V的- 0.11Ω的- 16A條采用D2PAK STripFET MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
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代理商： STB16PF06L
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STB16PF06L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)
Table 6: Dynamic
Symbol
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
Table 7: Source Drain Diode
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
Source-drain Current (pulsed)
V
SD
(1)
Forward On Voltage
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Current
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DS
= 10 V
,
I
D
= 3 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
7.2
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
630
121
49
pF
pF
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 30 V, I
D
= 8 A, R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
(Resistive Load , Figure 1)
129
90
25.5
19.5
ns
ns
ns
ns
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 48 V, I
D
= 16 A,
V
GS
= 4.5V
(See test circuit, Figure 2)
11.4
5.2
4.7
15.5
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
16
64
Unit
A
A
Source-drain Current
I
SD
= 8 A, V
GS
= 0
I
SD
= 16 A, di/dt = 100A/μs
V
DD
= 20V, T
j
= 150
°
C
(see test circuit, Figure 3)
1.3
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
48.5
87.3
3.6
ns
nC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB16PF06LT4 P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFET
STB18N20 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管)
STB190NF04-1 N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
STB190NF04T4 N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
STB19NF20 N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB16PF06LT4 功能描述:MOSFET P-Ch 60 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB170NF04 功能描述:MOSFET N-CH 40V STripFET 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB180N10F3 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A STripFET? Power MOSFET D2PAK, TO-220
STB180N55 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 55V - 2.9m-ohm - 120A - D-2 PAK - TO-220 MDmesh-TM Low Voltage Power MOSFET
STB180N55F3 功能描述:MOSFET Lo Vltg fast Swtch PNP Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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