參數(shù)資料
型號(hào)： START450TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： NPN Silicon RF Transistor
中文描述： NPN硅射頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： START450TR
3/7
START450
Symbol
TMEAS
IS
ISE
NR
ISC
Value
27.0
1.9E-16
1.9E-12
1
3.19E-15
Symbol
FC
EG
NF
NE
BR
Value
0.8
1.12
1
2.658
13.7
Symbol
XJBC
XTI
BF
VAF
VAR
Value
0.3
4.51
295
40
2.5
IKF
{1.448*((T(
o
C)+273.15)/
300.15)^(-1.6)}
7E-10
20
2.7
1.38
1462E-15
660E-15
425E-15
NC
1.5
TF
3.1E-12
TR
XTF
RB
RC
CJE
CJC
CJS
PTF
ITF
RBM
RE
VJE
VJC
VJS
35
4.8
0.64
0.15
1.1
0.84
0.453
VTF
MJE
MJC
MJS
IKR
XTB
27
0.44
0.31
0.281
43.5E-3
-0.32
SPICE PARAMETERS (Gummel-Poon Model, Berkley-SPICE 2G.6 Syntax)
PACKAGE EQUIVALENT CIRCUIT
TRANSISTOR CHIP DATA
FOR MORE ACCURACY SIMULATION IN SATURATION REGION :
Adding the 5 Spice parameters showed in Table A and using
ST Spice Library
(available on request) you
can achieve a more accuracy simulation in the saturation region. ST Spice library is compatible with
following simulators: ELDO MENTOR (any version), SPECTRE CADENCE (any version), ADS (version
2001 only).
Table A (Spice Parameters extracted in saturation region)
RW
Vjj
ENP
VRP
RP
2.594
0.769
2.45
{4.64*((TEMPER+273.15)/300.15)^(1.5)}
1.00E-6
In order to avoid high complexity of the package equivalent circuit, the two emitter leads of SOT-343
package are combined in one electrical connection.
C
Chip
B’
C’
E’
L=0.1 nH
L=0.3 nH
L3
L5
L6
C2
C=21 fF
.
.
L=0.8 nH
L1
L=0.15 nH
L=0.05 nH
L2
C=785 fF
C=740 fF
C1
C3
E
.
.
L=0.3 nH
L4
B
.
.
Transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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STB11NM60FD-1 N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
STP11NM60FDFP N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
STB11NM60A-1 N-CHANNEL 600V - 0.4ohm - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
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