參數(shù)資料
型號(hào)： START450
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： NPN Silicon RF Transistor
中文描述： NPN硅射頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大小： 70K
代理商： START450
START450
6/7
2.00-2.20
1.90-2.10
1.15-1.35
1.15
0.55-0.65
1.30
0.25-0.35
0.00-0.10
0.80-1.00
1.15-1.35
0.10-0.20
0.45
PACKAGE DIMENSIONS SOT343 (SC-70 4 leads)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
START450TR NPN Silicon RF Transistor
STB100NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB11NM60FDT4 N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
STB11NM60FD-1 N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
STP11NM60FDFP N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
START450TR 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
START499 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR RF NPN
START499D 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF TRANSISTOR 29dBm 14dBgain 900mz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
START499ETR 功能描述:兩極晶體管 - BJT Discrete Med P AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
START499TR 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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