參數(shù)資料
型號(hào)： ST303C12LFK0
英文描述： Stratix FPGA 10K FBGA-780
中文描述： 1200伏995A逆變晶閘管采用TO - 200AC（乙，北辰）封裝
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 173K
代理商： ST303C12LFK0
ST303C..L Series
8
www.irf.com
Bulletin I25186 rev. B 04/00
Fig. 14 - Frequency Characteristics
Fig. 15 - Frequency Characteristics
Fig. 16 - Maximum On-state Energy Power Loss Characteristics
1E1
1E2
1E3
1E4
1 E1
1 E2
1 E3
1 E4
1E4
50 Hz
400
2500
100
1000
1500
2000
3000
200
500
Pulse Base w idth (μs)
P
ST303C..L Series
Trapezoidal pulse
T = 40
°
C
di/dt = 100A/μs
Snubber circuit
R = 10 ohms
C = 0.47 μF
V = 80% V
DRM
tp
1E 1
1E 2
1E 3
1E 4
1 E1
1 E2
1 E3
1 E4
1E4
50 Hz
400
2500
100
1000
1500
2000
3000
200
500
Pulse Basew idth (μs)
P
Snubber circuit
R = 10 ohms
C = 0.47 μF
V = 80% V
DRM
ST303C..L Series
Trapezoidal pulse
T = 40
°
C
di/dt = 50A/μs
tp
1 E1
1E1
1E2
1 E3
1E4
50 Hz
400
2500
100
Pulse Basew idth (μs)
1000
1500
2000
200
500
ST303C..L Series
Trapezoidal pulse
T = 55
°
C
di/dt = 100A/μs
Snubber circuit
R = 10 ohms
C = 0.47 μF
V = 80% V
DRM
tp
3000
1 E1
1E1
1E 2
1 E3
1E4
50 Hz
400
2500
100
Pulse Base w idth (μs)
1000
1500
2000
200
500
Snubber circuit
R = 10 ohms
C = 0.47 μF
V = 80% V
DRM
ST303C..L Series
Trapezoidal pulse
T = 55
°
C
di/dt = 50A/μs
tp
3000
1E 1
1E 2
1E 3
1E 4
1E 5
1E1
1E2
1E3
1 E4
1E4 1 E1
Pulse Base w idth (μs)
20 joules per pulse
2
1
0.5
10
5
P
3
ST303C..L Series
Sinusoidal pulse
0.4
tp
1 E2
1 E3
1E4
Pulse Base w idth (μs)
20 joules per pulse
10
2
1
0.5
5
0.4
3
ST303C..L Series
Rectangular pulse
di/dt = 50A/μs
tp
1E 1
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PDF描述
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參數(shù)描述
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ST303C12LHK1-P 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Inverter Grade Thyristors (Hockey PUK Version), 515 A
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