參數(shù)資料
型號： ST303C12LFK0
英文描述： Stratix FPGA 10K FBGA-780
中文描述： 1200伏995A逆變晶閘管采用TO - 200AC（乙，北辰）封裝
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 173K
代理商： ST303C12LFK0
ST303C..L Series
3
www.irf.com
Bulletin I25186 rev. B 04/00
V
TM
V
T(TO)1
Low level value of threshold
voltage
V
T(TO)2
High level value of threshold
voltage
r
t
1
slope resistance
Max. peak on-state voltage
2.16
I
TM
= 1255A, T
J
= T
J
max, t
p
= 10ms sine wave pulse
Low level value of forward
r
t
2
High level value of forward
slope resistance
Maximum holding current
I
H
I
L
600
T
J
= 25
°
C, I
T
> 30A
T
J
= 25
°
C, V
A
= 12V, Ra = 6
,
I
G
= 1A
Typical atching current
1000
Parameter
ST303C..L
Units
Conditions
On-state Conduction
1.44
(16.7% x
π
x I
T(AV)
< I <
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
1.48
(I >
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
V
0.57
(16.7% x
π
x I
T(AV)
< I <
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
0.56
(I >
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
m
mA
di/dt
Max. non-repetitive rate of rise
of turned-on current
T
J
= T
J
max, V
DRM
= rated V
DRM
I
TM
= 2 x di/dt
T
J
= 25
°
C, V
DM
= rated V
DRM
,
I
TM
= 50A DC, t
p
= 1μs
Resistive load Gate pulse: 10V, 5
source
T
J
= T
J
max,
I
TM
= 550A, commutating di/dt
= 40A/μs
V
R
= 50V, t
p
= 500μs, dv/dt: see table in device code
Switching
Parameter
ST303C..L
Units
Conditions
1000
A/μs
t
d
Typical delay time
0.83
Min
10
Max
30
dv/dt
Maximum critical rate of rise of
off-state voltage
Max. peak reverse and off-state
leakage current
T
= T
max. linear to 80% V
DRM
, higher value
available on request
I
RRM
I
DRM
Parameter
ST303C..L
Units
Conditions
Blocking
500
V/
μ
s
50
mA
T
J
= T
J
max, rated V
DRM
/V
RRM
applied
P
GM
P
G(AV)
I
GM
Maximum peak gate power
60
Maximum average gate power
10
Max. peak positive gate current
10
A
T
J
= T
J
max, t
p
≤
5ms
+V
GM
Maximum peak positive
gate voltage
-V
GM
Maximum peak negative
gate voltage
I
GT
Max. DC gate current required
to trigger
V
GT
Max. DC gate voltage required
to trigger
Max. DC gate current not to trigger
I
GD
V
GD
20
mA
Max. DC gate voltage not to trigger
0.25
V
Triggering
Parameter
ST303C..L
Units
Conditions
20
5
V
T
J
= T
J
max, t
p
≤
5ms
200
mA
3
V
T
J
= 25
°
C, V
A
= 12V, Ra = 6
T
J
= T
J
max, rated V
DRM
applied
μs
(*) t
q
= 10 to 20μs for 400 to 800V devices; t
q
= 15 to 30μs for 1000 to 1200V devices.
W
T
J
= T
J
max, f = 50Hz, d% = 50
t
q
Max. turn-off time (*)
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PDF描述
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