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參數(shù)資料
| 型號： | SSW3N80A |
| 英文描述： | KIT DEVELOPMENT ENCORE II |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 800V的五（巴西）直| 3A條（丁）|對263AB |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 663K |
| 代理商： | SSW3N80A |
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
Fig 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Fig 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
E
AS
=
L
L
I
AS2
-1
2
--------------------
BV
DSS
-- V
DD
BV
V
in
V
out
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
Vary t
to obtain
required peak I
D
10V
V
DD
C
L
L
V
DS
I
D
R
G
t
p
DUT
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
V
DD
( 0.5 rated V
DS
)
10V
V
out
V
in
R
L
DUT
R
G
3mA
V
GS
Current Sampling (I
G
)
Resistor
Current Sampling (I
D
)
Resistor
DUT
V
DS
300nF
50K
￥
200nF
12V
Same Type
as DUT
* Current Regulator *
R
1
R
2
SSW/I3N80A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSW3N90A | KIT DEVELOPMENT FOR PROC |
| SSI3N80A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-262AA |
| SSI3N90A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-262AA |
| SSW3N | IC MCU 8K LS USB/PS-2 18-SOIC |
| SSW60N06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-252VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SSW3N90A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-263AB |
| SSW-407 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SPDT RF Absorptive Switch |
| SSW408 | 制造商:STANFORD 制造商全稱:STANFORD 功能描述:DC-4 GHz High Power GaAs MMIC SPDT Switch |
| SSW-408 | 制造商:STANFORD 制造商全稱:STANFORD 功能描述:DC-4 GHz High Power GaAs MMIC SPDT Switch |
| SSW-424 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SPDT RF Absorptive Switch |
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