型號: | SSTVN16859 |
廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
英文描述: | 13-bit 1:2 SSTL_2 registered buffer for DDR |
中文描述: | 13位1:2 SSTL_2登記緩沖區(qū)的DDR |
文件頁數(shù): | 1/11頁 |
文件大小: | 116K |
代理商: | SSTVN16859 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SSTVN16859BS | 13-bit 1:2 SSTL_2 registered buffer for DDR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SSTVN16859BS | 功能描述:寄存器 13BIT 1:2 SSTL2 REG BUF/DDR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:HC 電路數(shù)量:1 最大時鐘頻率:36 MHz 傳播延遲時間: 高電平輸出電流:- 7.8 mA 低電平輸出電流:7.8 mA 電源電壓-最大:6 V 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SOT-38 封裝:Tube |
SSTVN16859BS,118 | 功能描述:寄存器 13BIT 1:2 SSTL2 REG RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:HC 電路數(shù)量:1 最大時鐘頻率:36 MHz 傳播延遲時間: 高電平輸出電流:- 7.8 mA 低電平輸出電流:7.8 mA 電源電壓-最大:6 V 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SOT-38 封裝:Tube |
SSTVN16859BS,151 | 功能描述:寄存器 13BIT 1:2 SSTL2 REG RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:HC 電路數(shù)量:1 最大時鐘頻率:36 MHz 傳播延遲時間: 高電平輸出電流:- 7.8 mA 低電平輸出電流:7.8 mA 電源電壓-最大:6 V 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SOT-38 封裝:Tube |
SSTVN16859BS,157 | 功能描述:寄存器 13BIT 1:2 SSTL2 REG RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:HC 電路數(shù)量:1 最大時鐘頻率:36 MHz 傳播延遲時間: 高電平輸出電流:- 7.8 mA 低電平輸出電流:7.8 mA 電源電壓-最大:6 V 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SOT-38 封裝:Tube |
SSTVN16859BS-S | 功能描述:寄存器 13BIT 1:2 SSTL2 REG BUF/DDR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:HC 電路數(shù)量:1 最大時鐘頻率:36 MHz 傳播延遲時間: 高電平輸出電流:- 7.8 mA 低電平輸出電流:7.8 mA 電源電壓-最大:6 V 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SOT-38 封裝:Tube |