參數(shù)資料
型號(hào)： SST4416
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-30V，最小飽和漏極電流5mA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道場效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓- 30V的，最小飽和漏極電流5mA的的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 5/6頁
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代理商： SST4416
2N4416/2N4416A/SST4416
Siliconix
S-52424—Rev. E, 14-Apr-97
5
Typical Characteristics (Cont’d)
I
D
– Drain Current (mA)
I
D
– Drain Current (mA)
On-Resistance vs. Drain Current
Circuit Voltage Gain vs. Drain Current
0.1
1
10
T
A
= 25 C
–3 V
V
GS(off)
= –2 V
10
0.1
A
V
g
fs
R
L
R
L
g
os
1
Assume V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
10 V
I
D
R
L
V
GS(off)
= –2 V
–3 V
A
V
–
300
0
240
180
120
60
100
0
80
60
40
20
1
r
D
–
)
–
C
i
Common-Source Input Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
Common-Source Reverse Feedback
Capacitance vs. Gate-Source Voltage
f = 1 MHz
V
DS
= 0 V
10 V
–
C
r
V
DS
= 0 V
10 V
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
f = 1 MHz
Input Admittance
Forward Admittance
100
10
1
0.1
100
1000
T
A
= 25 C
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V
Common Source
(
100
10
1
0.1
100
1000
T
A
= 25 C
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V
Common Source
(
f – Frequency (MHz)
f – Frequency (MHz)
5
0
4
3
2
1
0
–20
–4
–8
–12
–16
3
0
2.4
1.8
1.2
0.6
0
–20
–4
–8
–12
–16
200
500
200
500
b
is
g
is
–b
fs
g
fs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SST441 Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，柵極工作電流-1pA的雙N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
SST45VF010 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
SST45VF010-10-4C-SA 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
SST45LF010 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
SST45LF010-10-4C-QA 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
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參數(shù)描述
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