參數(shù)資料
型號： SST4119
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： MOSFET, DUAL, NN, SO-8; Transistor type:MOSFET; Current, Id cont:4.5A; Resistance, Rds on:0.035R; Voltage, Vgs Rds on measurement:4.5V; Case style:SO-8 (SOIC-8); Charge, gate n-channel:8.6nC; Current, Idm pulse:40A; Pins, No. of:8; RoHS Compliant: Yes
中文描述： N溝道JFET的
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 61K
代理商： SST4119
2N/PN/SST4117A Series
Vishay Siliconix
Document Number: 70239
S-41231—Rev. G, 28-Jun-04
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
2
1
0
0.01
0.1
1
Equivalent Input Noise Voltage vs. Frequency
I
D
Drain Current (mA)
Common-Source Reverse Feedback Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
0.5
On-Resistance vs. Drain Current
Output Conductance vs. Drain Current
V
= 10 V
f = 1 kHz
0
8
20
16
4
0.4
0.3
0.1
0
f = 1 MHz
V
DS
= 0 V
10 V
10
100
1 k
100 k
10 k
200
0
V
DS
= 10 V
I
D
= 10 mA
V
GS
= 0 V
T
A
=
55 C
125 C
I
D
Drain Current (mA)
V
GS
Gate-Source Voltage (V)
f
Frequency (Hz)
0.2
160
120
40
80
12
V
GS(off)
=
2.5 V
20
0
0.01
0.1
1
16
12
8
4
V
GS(off)
=
0.7 V
2.5 V
T
A
= 25 C
25 C
e
r
D
g
o
μ
S
C
r
相關PDF資料
PDF描述
SST4117 N-Channel JFET General Purpose Amplifier
SST4118 MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-20V; Continuous Drain Current, Id:-4.7A; On-Resistance, Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Package/Case:SO-8; Leaded Process Compatible:Yes
SST4119 MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-12V; Continuous Drain Current, Id:-6.4A; On-Resistance, Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Package/Case:SO-8; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
SST4416 N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-30V，最小飽和漏極電流5mA的N溝道結型場效應管)
SST441 Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，柵極工作電流-1pA的雙N溝道結型場效應管)
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參數(shù)描述
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SST4119-T1-E3 功能描述:JFET 70V 200uA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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