參數(shù)資料
型號： SST39VF800A-70-4C-B3KE
廠商： SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC
元件分類： PROM
英文描述： 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
中文描述： 512K X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-210AB-1, TFBGA-48
文件頁數(shù)： 13/31頁
文件大?。?/td> 735K
代理商： SST39VF800A-70-4C-B3KE
Data Sheet
2 Mbit / 4 Mbit / 8 Mbit Multi-Purpose Flash
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
13
2007 Silicon Storage Technology, Inc.
S71117-09-000
2/07
AC CHARACTERISTICS
TABLE 14: Read Cycle Timing Parameters V
DD
= 3.0-3.6V
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
Parameter
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
SST39LF200A-45
Min
45
SST39LF200A/400A/800A-55
Min
55
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
Max
45
45
30
55
55
30
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
0
0
0
0
15
15
15
15
0
0
T14.7 1117
TABLE 15: Read Cycle Timing Parameters V
DD
= 2.7-3.6V
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
Parameter
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
SST39VF200A/400A/800A-70
Min
70
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
70
70
35
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
0
0
20
20
0
T15.7 1117
相關PDF資料
PDF描述
SST39VF800A-70-4C-C1Q 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39VF800A-70-4C-C1QE 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39VF800A-70-4C-EKE 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
SST39VF800A-70-4C-M1Q 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
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