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參數(shù)資料
| 型號： | SST39VF6402B-90-4I-B1K |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, MO-210, TFBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 13/30頁 |
| 文件大小： | 369K |
| 代理商： | SST39VF6402B-90-4I-B1K |
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Data Sheet
64 Mbit Multi-Purpose Flash Plus
SST39VF6401B / SST39VF6402B
13
2006 Silicon Storage Technology, Inc.
S71288-02-000
7/06
AC CHARACTERISTICS
TABLE 14: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
V
DD
= 2.7-3.6V
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
T
RP1
T
RHR1
T
RY1,2
Parameter
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
RST# Pulse Width
RST# High before Read
RST# Pin Low to Read Mode
SST39VF640xB-70
Min
70
SST39VF640xB-90
Min
90
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
Max
Max
70
70
35
90
90
45
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
2. This parameter applies to Sector-Erase, Block-Erase, and Program operations.
This parameter does not apply to Chip-Erase operations.
0
0
0
0
20
20
30
30
0
0
500
50
500
50
20
20
T14.0 1288
TABLE 15: P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
Symbol
T
BP
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
WPH1
T
CPH1
T
DS
T
DH1
T
IDA1
T
SE
T
BE
T
SCE
Parameter
Word-Program Time
Address Setup Time
Address Hold Time
WE# and CE# Setup Time
WE# and CE# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
CE# Pulse Width
WE# Pulse Width
WE# Pulse Width High
CE# Pulse Width High
Data Setup Time
Data Hold Time
Software ID Access and Exit Time
Sector-Erase
Block-Erase
Chip-Erase
Min
Max
10
Units
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
0
30
0
0
0
10
40
40
30
30
30
0
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
150
25
25
50
T15.0 1288
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST39VF6402B-90-4I-B1KE | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| SST39VF6402B-90-4I-EK | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| SST39VF6402B-90-4I-EKE | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| SST39VF800A-70-4I-C1QE | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| SST39VF800A-70-4I-EKE | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST39VF800-90-4C-EK | 制造商:SILICON STORAGE TECH 功能描述: 制造商:Silicon Storage Technology (SST) 功能描述: |
| SST39VF800A-70-4A-B3KE | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 70ns Automotive Temp RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST39VF800A-70-4A-EKE | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 70ns Automotive Temp RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST39VF800A-70-4C-B3K | 功能描述:閃存 512K X 16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST39VF800A-70-4C-B3KE | 功能描述:閃存 512K X 16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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