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參數(shù)資料
| 型號： | SST34HF1682D-70-4E-L1PE |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-210, LFBGA-56 |
| 文件頁數(shù)： | 16/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 488K |
| 代理商： | SST34HF1682D-70-4E-L1PE |
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16
Advance Information
16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory
SST34HF1602C / SST34HF1622C / SST34HF1642C
SST34HF1642D / SST34HF1682D / SST34HF1622S / SST34HF1642S
2004 Silicon Storage Technology, Inc.
S71256-00-000
3/04
TABLE
8: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
(V
DD
= V
DDF
AND
V
DDS
= 2.7-3.3V)
Symbol
I
DD1
Parameter
Active V
DD
Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input = V
ILT
/V
IHT,
at f=1/T
RC
Min,
V
DD
=V
DD
Max, all DQs open
OE#=V
IL
, WE#=V
IH
BEF#=V
IL
, BES1#=V
IH
,
or BES2=V
IL
BEF#=V
IH
, BES1#=V
IL ,
BES2=V
IH
BEF#=V
IH
, BES1#=V
IL ,
BES2=V
IH
WE#=V
IL
BEF#=V
IL
, BES1#=V
IH
,
or BES2=V
IL
, OE#=V
IH
BEF#=V
IH
, BES1#=V
IL ,
BES2=V
IH
V
DD
= V
DD
Max, BEF#=BES1#=V
IHC
,
BES2=V
ILC
Min
Units
Read
Flash
(P)SRAM
Concurrent Operation
Write
2
Flash
(P)SRAM
Standby V
DD
Current
35
30
60
mA
mA
mA
40
30
30
85
30
1
10
mA
mA
μA
μA
μA
μA
μA
I
SB
SRAM
PSRAM
I
RT
I
LI
I
LIW
Reset
V
DD
Current
Input Leakage Current
Input Leakage Current
on WP# pin and RST# pin
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input Low Voltage (CMOS)
Input High Voltage
Input High Voltage (CMOS)
Flash Output Low Voltage
Flash Output High Voltage
(P)SRAM Output Low Voltage
(P)SRAM Output High Voltage
RST#=GND
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
WP#=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
RST#=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Min
V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Max
I
OL
=100 μA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-100 μA, V
DD
=V
DD
Min
IOL =1 mA, V
DD
=V
DD
Min
IOH =-500 μA, V
DD
=V
DD
Min
I
LO
V
IL
V
ILC
V
IH
V
IHC
V
OLF
V
OHF
V
OLS
V
OHS
10
0.8
0.3
μA
V
V
V
V
V
V
V
V
0.7
V
DD
V
DD
-0.3
0.2
V
DD
-0.2
0.4
2.2
T8.0 1256
1. Address input = V
ILT
/V
IHT,
V
DD
=V
DD
Max (See Figure 20)
2. I
DD
active while Erase or Program is in progress.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST34HF1602S-70-4E-L1PE | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1622S-70-4E-L1PE | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1642S-70-4E-L1PE | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1682S-70-4E-L1PE | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1622C | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST34HF1682D-70-4E-L1SE | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1682D-70-4E-LPE | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1682D-70-4E-LSE | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1682S-70-4C-B1PE | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1682S-70-4C-B1SE | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
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