參數(shù)資料
型號： SST29VE010
廠商： Silicon Storage Technology, Inc.
英文描述： 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM(1 M(128K x8)按頁存取模式EEPROM)
中文描述： 1兆位（128K的× 8）頁面模式的EEPROM（1米（128K的× 8）按頁存取模式的EEPROM）
文件頁數(shù)： 10/26頁
文件大小： 326K
代理商： SST29VE010
10
Data Sheet
1 Mbit Page-Mode EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71061-07-000
6/01
304
AC CHARACTERISTICS
TABLE 10: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
FOR
SST29EE010
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
Parameter
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
SST29EE010-70
Min
70
SST29EE010-90
Min
90
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
Max
70
70
30
90
90
40
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
0
0
0
0
20
20
30
30
0
0
T10.2 304
TABLE 11: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
FOR
SST29LE010
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
Parameter
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
SST29LE010-150
Min
150
SST29LE010-200
Min
200
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
Max
150
150
60
200
200
100
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
0
0
0
0
30
30
50
50
0
0
T11.1 304
TABLE 12: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
FOR
SST29VE010
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
Parameter
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
SST29VE010-200
Min
200
SST29VE010-250
Min
250
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
Max
200
200
100
250
250
120
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
0
0
0
0
50
50
50
50
0
0
T12.1 304
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SST29LE512-90-4I-PH 512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM
SST29VE512-250-4C-EH 512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM
SST29SF020-55-4C-NHE 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
SST29SF020-55-4I-WHE 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
SST29SF040-55-4C-NHE 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SST29VE010-150-4C-EHE 功能描述:閃存 1M (128K x 8) 150ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE010-150-4C-NHE 功能描述:閃存 1M (128K x 8) 150ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE010-150-4I-NHE 功能描述:閃存 1M (128K x 8) 150ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE010-200-4C-EH 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE010-200-4C-EHE 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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