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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SST29LE010 |
| 廠商： | Silicon Storage Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM(1 M(128K x8)按頁(yè)存取模式EEPROM) |
| 中文描述： | 1兆位（128K的× 8）頁(yè)面模式的EEPROM（1米（128K的× 8）按頁(yè)存取模式的EEPROM） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/26頁(yè) |
| 文件大小： | 326K |
| 代理商： | SST29LE010 |
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8
Data Sheet
1 Mbit Page-Mode EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71061-07-000
6/01
304
TABLE
5: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
= 5.0V±10%
FOR
SST29EE010
Symbol
I
DD
Parameter
Power Supply Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input=V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min,
V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
, all I/Os open
CE#=WE#=V
IL
, OE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=WE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
Min
Units
Read
Write
Standby V
DD
Current
(TTL input)
Standby V
DD
Current
(CMOS input)
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
30
50
3
mA
mA
mA
I
SB1
I
SB2
50
μA
CE#=OE#=WE#=V
DD
-0.3V, V
DD
=V
DD
Max
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
1
μA
μA
V
V
V
V
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Min
V
DD
=V
DD
Max
I
OL
=2.1 mA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-400 μA, V
DD
=V
DD
Min
10
0.8
2.0
0.4
2.4
T5.3 304
TABLE
6: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
= 3.0-3.6V
FOR
SST29LE010
AND
2.7-3.0V
FOR
SST29VE010
Symbol
I
DD
Parameter
Power Supply Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input=V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min,
V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
, all I/Os open
CE#=WE#=V
IL
, OE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=WE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
Min
Units
Read
Write
Standby V
DD
Current
(TTL input)
Standby V
DD
Current
(CMOS input)
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
12
15
1
mA
mA
mA
I
SB1
I
SB2
15
μA
CE#=OE#=WE#=V
DD
-0.3V, V
DD
=V
DD
Max
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
1
μA
μA
V
V
V
V
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Min
V
DD
=V
DD
Max
I
OL
=100 μA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-100 μA, V
DD
=V
DD
Min
10
0.8
2.0
0.4
2.4
T6.3 304
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST29VE010 | 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM(1 M(128K x8)按頁(yè)存取模式EEPROM) |
| SST29LE512-90-4I-PH | 512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29VE512-250-4C-EH | 512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29SF020-55-4C-NHE | 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash |
| SST29SF020-55-4I-WHE | 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST29LE010-120-3C-E | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29LE010-120-3C-EH | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29LE010-120-3C-N | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29LE010-120-3C-NH | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29LE010-120-3C-P | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
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