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參數(shù)資料
| 型號： | SST29EE020 |
| 廠商： | Silicon Storage Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM(2 M(256K x8)按頁存取模式EEPROM) |
| 中文描述： | 2兆位（256K × 8）頁面模式的EEPROM（2米（256K × 8）按頁存取模式的EEPROM） |
| 文件頁數(shù)： | 9/26頁 |
| 文件大小： | 326K |
| 代理商： | SST29EE020 |
Data Sheet
2 Mbit Page-Mode EEPROM
SST29EE020 / SST29LE020 / SST29VE020
9
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71062-06-000
6/01
307
TABLE
7: R
ECOMMENDED
S
YSTEM
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
Symbol
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
Parameter
Power-up to Read Operation
Power-up to Write Operation
Minimum
100
5
Units
μs
ms
T7.1 307
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
TABLE
8: C
APACITANCE
(Ta = 25
°
C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
C
I/O1
C
IN1
Description
I/O Pin Capacitance
Input Capacitance
Test Condition
V
I/O
= 0V
V
IN
= 0V
Maximum
12 pF
6 pF
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
T8.0 307
TABLE
9: R
ELIABILITY
C
HARACTERISTICS
Symbol
N
END1
T
DR1
I
LTH1
Parameter
Endurance
Data Retention
Latch Up
Minimum Specification
10,000
Units
Cycles
Years
mA
Test Method
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard 78
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
100
100
T9.5 307
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST29VE512 | 512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29EE010-120-4C-EH | 128Kx8 EEPROM |
| SST29EE010-120-4CNH | IC SMD |
| SST29EE010-120-4C-NH | 128Kx8 EEPROM |
| SST29EE010-120-4CPH | IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST29EE020-120-4C-EH | 功能描述:閃存 256K X 8 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29EE020-120-4C-EHE | 功能描述:閃存 256K X 8 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29EE020-120-4C-NH | 功能描述:閃存 256K X 8 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29EE020-120-4C-NHE | 功能描述:閃存 256K X 8 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29EE020-120-4C-PH | 功能描述:閃存 256K X 8 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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