參數(shù)資料
型號： SST29EE020
廠商： Silicon Storage Technology, Inc.
英文描述： 2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM(2 M(256K x8)按頁存取模式EEPROM)
中文描述： 2兆位（256K × 8）頁面模式的EEPROM（2米（256K × 8）按頁存取模式的EEPROM）
文件頁數(shù)： 10/26頁
文件大?。?/td> 326K
代理商： SST29EE020
10
Data Sheet
2 Mbit Page-Mode EEPROM
SST29EE020 / SST29LE020 / SST29VE020
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71062-06-000
6/01
307
AC CHARACTERISTICS
TABLE 10: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
FOR
SST29EE020
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
Parameter
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
SST29EE020-120
Min
120
SST29EE020-150
Min
150
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
Max
120
120
50
150
150
60
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
0
0
0
0
30
30
30
30
0
0
T10.4 307
TABLE 11: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
FOR
SST29LE020
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
Parameter
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
SST29LE020-200
Min
200
SST29LE020-250
Min
250
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
Max
200
200
100
250
250
120
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
0
0
0
0
50
50
50
50
0
0
T11.1 307
TABLE 12: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
FOR
SST29VE020
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
Parameter
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
SST29VE020-200
Min
200
SST29VE020-250
Min
250
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
Max
200
200
100
250
250
120
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
0
0
0
0
50
50
50
50
0
0
T12.1 307
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SST29VE512 512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM
SST29EE010-120-4C-EH 128Kx8 EEPROM
SST29EE010-120-4CNH IC SMD
SST29EE010-120-4C-NH 128Kx8 EEPROM
SST29EE010-120-4CPH IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SST29EE020-120-4C-EH 功能描述:閃存 256K X 8 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29EE020-120-4C-EHE 功能描述:閃存 256K X 8 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29EE020-120-4C-NH 功能描述:閃存 256K X 8 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29EE020-120-4C-NHE 功能描述:閃存 256K X 8 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29EE020-120-4C-PH 功能描述:閃存 256K X 8 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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