參數(shù)資料
型號: SSS2N80A
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-220F
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 800V的五(巴西)直| 1.5AI(四)|至220F
文件頁數(shù): 4/7頁
文件大?。?/td> 264K
代理商: SSS2N80A
N-C HANNEL
POWER MOSFET
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
Fig 11. Thermal Response
Fig 10. Max. Drain Current vs. Case Temperature
1.5
Fig 9. Max. Safe Operating Area
P
DM
t
1
t
2
SSS2N60A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
@ Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 1.0 A
R
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
25
50
75
100
125
150
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
I
D
T
c
, Case Temperature [
o
C]
10
-5
10
-4
t
1
, Square Wave Pulse Duration [sec]
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
single pulse
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
D=0.5
@ Notes :
1. Z
θ
JC
(t)=5.5
o
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
-T
C
=P
DM
*Z
θ
JC
(t)
Z
θ
J
(
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
100 ms
DC
100
μ
s
1 ms
10 ms
@ Notes :
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3. Single Pulse
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SSS2N90 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | SOT-186
SSS2N90A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-220F
SSS3N90A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220F
SSS4N60AS TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-220F
SSS4N70 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | SOT-186
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參數(shù)描述
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SSS2N90A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-220F
SSS-3F 制造商:SR COMPONENTS 功能描述: 制造商:SR Components Inc 功能描述:
SSS3N70 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS
SSS3N80 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS