參數(shù)資料
型號： SSM6J07FU
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon P Channel MOS Type
中文描述： 東芝晶體硅P通道馬鞍山類型
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： SSM6J07FU
SSM6J07FU
2002-01-24
1
TOSHIBA Transistor Silicon P Channel MOS Type
SSM6J07FU
Power Management Switch
High Speed Switching Applications
Small package
Low on resistance
: R
on
= 450 m
(max) (V
GS
=
1
0 V)
: R
on
= 800 m
(max) (V
GS
=
4 V)
Maximum Ratings
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
V
DS
30
V
Gate-source voltage
V
GSS
20
V
DC
I
D
0.8
Drain current
Pulse
I
DP
1.6
A
Drain power dissipation
P
D
(Note1)
300
mW
Channel temperature
T
ch
150
C
Storage temperature range
T
stg
55~150
C
Note 1: Mounted on FR4 board
(25.4 mm 25.4 mm 1.6 t, Cu Pad: 0.32 mm
2
6)
Marking
Equivalent Circuit
Figure 1:
(top view)
25.4 mm 25.4 mm 1.6 t,
Cu Pad: 0.32 mm
2
6
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-2J1D
Weight: 6.8 mg (typ.)
6
K D F
4
1
2
3
5
4
1
2
3
6
5
0.4 mm
0
相關PDF資料
PDF描述
SSM6J08FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)
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參數(shù)描述
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