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參數(shù)資料
| 型號： | SS1H10-M3/5AT |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | SS1H10-M3/5AT |
www.vishay.com
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Document Number: 89411
2
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
Revision: 19-Apr-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
SS1H9, SS1H10
Vishay General Semiconductor
New Product
Notes
(1) Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
(2) Pulse test: Pulse width 40 ms
Note
(1) PCB mounted with 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pad areas
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Forward Current Derating Curve
Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
SYMBOL
SS1H9
SS1H10
UNIT
Maximum instantaneous forward voltage
IF = 1.0 A
TJ = 25 °C
VF (1)
0.77
V
TJ = 125 °C
0.62
IF = 2.0 A
TJ = 25 °C
0.86
TJ = 125 °C
0.70
Maximum reverse current at rated VR
TJ = 25 °C
IR (2)
1.0
μA
TJ = 125 °C
0.5
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
SS1H9
SS1H10
UNIT
Maximum thermal resistance
RJA (1)
88
°C/W
RJL (1)
30
ORDERING INFORMATION (Example)
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PREFERRED PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
SS1H10-M3/61T
0.064
61T
1800
7" diameter plastic tape and reel
SS1H10-M3/5AT
0.064
5AT
7500
13" diameter plastic tape and reel
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Lead Temperature (°C)
A
v
er
age
F
o
rw
ard
Cu
rrent
(A)
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
1
10
100
Number of Cycles at 60 Hz
A
v
er
age
F
o
rw
ard
Current
(A)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SS1H9-M3/5AT | 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| SS1H10-M3/61T | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| SS1P3L-E3 | 1.5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA |
| SS1P4L-E3 | 1.5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA |
| SS1P3L-HE3 | 1.5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SS1H10-M3-61T | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:High Voltage Surface Mount Schottky Rectifier |
| SS1H9 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1A 90V SMA RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| SS1H9/61T | 功能描述:肖特基二極管與整流器 90 Volt 1.0 Amp 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| SS1H9/63T | 功能描述:肖特基二極管與整流器 90 Volt 1.0 Amp 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| SS1H9_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:High-Voltage Surface Mount Schottky Rectifier |
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