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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SPU31N05 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | SIPMOS Power Transistor |
| 中文描述： | 31 A, 55 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | SPU31N05 |
Semiconductor Group
7
30/Jan/1998
SPD31N05
SPU31N05
Drain-source on-resistance
R
DS (on)
=
(
T
j
)
parameter:
I
D
= 22 A,
V
GS
= 10 V
-60
-20
20
60
100
°C
T
j
180
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
0.11
0.13
R
DS (on)
typ
98%
Gate threshold voltage
V
GS(th)
= f (T
j
)
parameter:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
=50μA
-60
-20
20
60
100
140
V
200
T
j
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
4.4
V
5.0
V
GS(th)
min
typ
max
Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
= 0V,
f
= 1MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
V
DS
40
2
10
3
10
4
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
Forward characteristics of reverse diode
I
F
=
(
V
SD
)
parameter:
T
j
, t
p
= 80 μs
0
0.0
10
1
10
2
10
3
10
A
I
F
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
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PDF描述 |
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