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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SPD3035C |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 30 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | TO-258, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 25K |
| 代理商： | SPD3035C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ST6080D | 20 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-3 |
| SZ3C91 | 91 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB |
| SGL1-90 | 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| SBD4004 | 40 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| SDR1008UF | 100 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SPD30N03 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor |
| SPD30N03L | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor |
| SPD30N03S2L-07 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SPD30N03S2L-07 G | 功能描述:MOSFET N-Channel 30V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SPD30N03S2L-07_08 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated |
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