參數(shù)資料
型號： SGL1-90
廠商： SEMIKRON INTERNATIONAL
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
封裝： PLASTIC, MINIMELF-2
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 139K
代理商： SGL1-90
Surface mount diode
Schottky barrier rectifiers
diodes
SGL 1-20...SGL 1-100
Forward Current: 1 A
Reverse Voltage: 20 to 100 V
Features
Mechanical Data
1)
2)
3)
4)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Values
Units
Characteristics
Symbol
Conditions
Values
Units
Dimensions in mm
SGL 1-20 ... SGL 1-100
1
08-03-2007 MAM
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SBD4004 40 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
SDR1008UF 100 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SSR1009DMU 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA
SDA676-11 2 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
SV-3SS SILICON, STABISTOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGL-23 制造商:Pma ag 功能描述:Bulk
SGL25N120RUF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGL25N120RUFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGL25N120RUFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL25N120RUFTU 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*