參數(shù)資料
型號： SMP30-200
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： TRISILTM
中文描述： TRISILTM
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： SMP30-200
SMP30-xxx
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-40
-20
0
20
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60
80
100
120
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
T (°C)
I [T ] / I [T =25°C]
Fig. 3:
Relative variation of holding current versus
junction temperature.
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
62 V
270 V
V
[T ] /V
[T =25°C]
BO
BO
T (°C)
Fig. 4:
Relative variation of breakover voltage ver-
sus junction temperature.
25
50
75
100
125
1
10
100
1000
2000
I
[T ] / I
[T =25°C]
RM
RM
V =V
R
RM
T (°C)
Fig. 5:
Relative variation of leakage current versus
junction temperature (typical values).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
Z
(°C/W)
th(j-a)
Zth(j-a)
t (s)
Fig. 6:
Relative variation of thermal impedance
versus pulse duration.
1
2
5
10
20
50
100
300
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V (V)
C[V ] / C[V =50V]
Tj=25°C
VRMS=1V
Fig. 7:
Relative variation of junction capacitance
versus reverse voltage applied (typical values).
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