參數(shù)資料
型號： SMP30-200
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： TRISILTM
中文描述： TRISILTM
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 90K
代理商： SMP30-200
SMP30-xxx
4/8
Type
I
RM
@ V
RM
max
I
R
@ V
R MAX
Note 1
DYNAMIC
V
BO
@ I
BO
max
Note 2
STATIC
V
BO
@ I
BO
max
Note 3
I
H
min
Note 4
C
typ.
Note 5
C
typ.
Note 6
μA
V
μA
V
V
mA
V
mA
mA
pF
pF
SMP30-62
SMP30-68
SMP30-100
SMP30-120
SMP30-130
SMP30-180
SMP30-200
SMP30-220
SMP30-240
SMP30-270
2
56
61
90
108
117
162
180
198
216
243
50
62
68
100
120
130
180
200
220
240
270
85
93
135
160
173
235
262
285
300
350
800
82
90
133
160
173
240
267
293
320
360
800
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
20
20
16
16
14
14
12
12
12
12
40
40
35
30
30
25
25
25
25
25
Note 1:
Note 2:
Note 3:
Note 4:
Note 5:
Note 6:
IRmeasured at VRguarantee VBRmin
≥
VR
See functional breakover voltage test circuit 1.
See test circuit 2.
See functional holding current test circuit 3.
VR= 50V bias,VRMS = 1V, F = 1MHz.
VR= 2V bias, VRMS = 1V, F = 1MHz
ELECTRICAL PARAMETERS
(Tamb = 25°C)
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
0
5
10
15
20
F=50Hz
t(S)
I
(A)
TSM
Fig. 1:
Non repetitive surge peak on-state current
versus overload duration (Tj initial = 25°C)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
2
5
10
20
50
V (V)
I (A)
Tj=25°C
Fig. 2:
On-state voltage versus on-state current
(typical values).
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PDF描述
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參數(shù)描述
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