型號: | SML50C15 |
英文描述: | N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:500V,Id(cont):21A,Rds(on):0.27Ω)(N溝道增強型,高電壓功率MOS場效應管(Vdss:500V,Id(cont):21A,Rds(on):0.27Ω)) |
中文描述: | N溝道增強模式高壓功率MOSFET(減振鋼板基本:500V電壓,身份證(續(xù)):21A條的Rds(on):0.27Ω)(不適用溝道增強型,高電壓功率馬鞍山場效應管(減振鋼板基本:500V電壓,身份證(續(xù)):21A條的Rds(on):0.27Ω)) |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 20K |
代理商: | SML50C15 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SML50H24 | N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:500V,Id(cont):24A,Rds(on):0.190Ω)(N溝道增強型,高電壓功率MOS場效應管(Vdss:500V,Id(cont):24A,Rds(on):0.190Ω)) |
SML60A16 | N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:600V,Id(cont):16A,Rds(on):0.35Ω)(N溝道增強型,高電壓功率MOS場效應管(Vdss:600V,Id(cont):16A,Rds(on):0.35Ω)) |
SML60A18 | N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:600V,Id(cont):17.5A,Rds(on):0.32Ω)(N溝道增強型,高電壓功率MOS場效應管(Vdss:600V,Id(cont):17.5A,Rds(on):0.32Ω)) |
SML60H16 | N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:600V,Id(cont):15.5A,Rds(on):0.37Ω)(N溝道增強型,高電壓功率MOS場效應管(Vdss:600V,Id(cont):15.5A,Rds(on):0.37Ω)) |
SML60H20 | N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:600V,Id(cont):20A,Rds(on):0.27Ω)(N溝道增強型,高電壓功率MOS場效應管(Vdss:600V,Id(cont):20A,Rds(on):0.27Ω)) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SML50EUZ12B | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Enhanced Ultrafast Recovery Diode 1200 Volt, 50 Amp |
SML50H19 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
SML50H24 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
SML50HB06 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:HIGH PERFORMANCE POWER SEMICONDUCTORS |
SML50J44 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |