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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SMJ32020GBS |
| 元件分類： | 數(shù)字信號(hào)處理 |
| 英文描述： | 16-Bit Digital Signal Processor |
| 中文描述： | 16位數(shù)字信號(hào)處理器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 103/132頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1707K |
| 代理商： | SMJ32020GBS |
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SPRS145G
–
JULY 2000
–
REVISED FEBRUARY 2002
103
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251
–
1443
external memory interface
write
timings
switching characteristics over recommended operating conditions for an external memory
interface write at 40 MHz [H = 0.5t
c(CO)
] (see Figure 45)
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
td(COH-CNTL)
td(COH-CNTH)
td(COH-A)W
td(COH-RWL)
Delay time, CLKOUT high to control valid
4
ns
Delay time, CLKOUT high to control inactive
5
ns
Delay time, CLKOUT high to address valid
10
ns
Delay time, CLKOUT high to R/W low
6
ns
td(COH-RWH)
Delay time, CLKOUT high to R/W high
6
ns
td(COL-WL)
Delay time, CLKOUT low to WE strobe active low
6
ns
td(COL-WH)
Delay time, CLKOUT low to WE strobe inactive high
6
ns
ten(D)COL
Enable time, data bus driven from CLKOUT low
–
3
ns
td(COL-SL)
Delay time, CLKOUT low to STRB active low
6
ns
td(COL-SH)
Delay time, CLKOUT low to STRB inactive high
6
ns
td(WRN)
Delay time, W/R going low to R/W rising
5
ns
th(A)COLW
tsu(A)W
tsu(D)W
th(D)W
Hold time, address valid after CLKOUT low
–
5
ns
Setup time, address valid before WE strobe active low
H
–
9
ns
Setup time, write data before WE strobe inactive high
2H
–
17
ns
Hold time, write data after WE strobe inactive high
2
ns
tdis(W-D)
Disable time, data bus high impedance from WE high
5
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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