型號: | SMBJ85 |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | CMOS Hex Non-Inverting Buffer with 3-State Outputs 16-CDIP -55 to 125 |
中文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大小: | 81K |
代理商: | SMBJ85 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBJ78 | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
SMBJ60 | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
SMBJ60A | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
SMBJ40 | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
SMBJ40A | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBJ85/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ85/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ85/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ85/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ85/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |