參數(shù)資料
型號(hào): SMBJ30A-TR
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述: 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù): 7/10頁(yè)
文件大小: 127K
代理商: SMBJ30A-TR
Ordering information scheme
SMBJ
6/10
Doc ID 5616 Rev 10
2
Ordering information scheme
Figure 12. Ordering information scheme
SM
B
J
85
CA
-
TR
Surface mount
Peak pulse power
B = 600 W Transil in SMB
Stand off voltage
85 = 85 V
Type
A = Unidirectional
CA = Bidirectional
Delivery mode
TR = Tape and reel
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SMBJ5.0A-TR 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ33A-TR 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ16CA-TR 4000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ20A-TR 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ40A-TR 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
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參數(shù)描述
SMBJ30C 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 30Vr 600W 12.4A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ30C/1 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ30C/2 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ30C/2B 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ30C/5 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C