參數(shù)資料
型號： SMBJ30A-TR
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 127K
代理商： SMBJ30A-TR
SMBJ
Characteristics
Doc ID 5616 Rev 10
5/10
Figure 6.
Junction capacitance versus
reverse applied voltage for
unidirectional types (typical values)
Figure 7.
Junction capacitance versus
reverse applied voltage for
bidirectional types (typical values)
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
C(pF)
F=1 MHz
V
osc=30 mVRMS
T
j=25 °C
SMBJ5.0A
SMBJ12A
SMBJ24A
SMBJ40A
SMBJ85A
SMBJ188A
VR(V)
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
C(pF)
F=1 MHz
V
osc=30 mVRMS
T
j=25 °C
SMBJ5.0CA
SMBJ12CA
SMBJ24CA
SMBJ40CA
SMBJ85CA
SMBJ188CA
VR(V)
Figure 8.
Peak forward voltage drop
versus peak forward current
(typical values)
Figure 9.
Relative variation of thermal
impedance, junction to ambient,
versus pulse duration
Figure 10. Thermal resistance, junction to
ambient, versus copper surface
under each lead
Figure 11. Leakage current versus junction
temperature (typical values)
I
FM(A)
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T
j =25 °C
T
j =125 °C
VFM(V)
0.01
0.10
1.00
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
Z
th(j-a) /Rth(j-a)
tP(s)
Recommended pad layout
PCB FR4, copper thickness = 35 m
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
R
(°C/W)
th(J-A)
SCU(cm)
PCB FR4, copper thickness = 35 m
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
25
50
75
100
125
150
V
R=VRM
V
RM ≥ 10 V
V
R=VRM
V
RM <10 V
Tj(°C)
I
R (nA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SMBJ5.0A-TR 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ33A-TR 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ16CA-TR 4000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ20A-TR 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ40A-TR 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
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參數(shù)描述
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SMBJ30C/1 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ30C/2 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ30C/2B 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ30C/5 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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