| 型號(hào): | SMBJ18 |
| 廠商: | DIODES INC |
| 元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述: | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 219K |
| 代理商: | SMBJ18 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ20C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ51C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ33 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ5.0C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ90C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBJ18/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 18V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ18/2 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SMB 600W 18V |
| SMBJ18/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 18V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ18/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 18V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ18/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 18V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |