| 型號: | SMBJ51C |
| 廠商: | DIODES INC |
| 元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述: | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 219K |
| 代理商: | SMBJ51C |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ33 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ5.0C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ90C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ12 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ20 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBJ51CA | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W TVS Diode Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ51CA R4 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 51V 600W 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ51CA R5 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 51V 600W 2-Pin SMB T/R |
| SMBJ51CA/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 51V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ51CA/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 51V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |