參數(shù)資料
型號(hào)： SMAJ530-E3/2G
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 90K
代理商： SMAJ530-E3/2G
www.vishay.com
2
Document Number 88391
14-Sep-06
Vishay General Semiconductor
SMAJ530 & SMAJ550
Note:
(1) Measured at 1 MHz
Note:
(1) Mounted on minimum recommended pad layout
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
SYMBOL
SMAJ530
SMAJ550
UNIT
Minimum breakdown voltage
at 100 A
V(BR)
530
550
V
Max. clamping voltage
at 400 mA, 10/1000 s-waveform
VC
760
V
Maximum DC reverse leakage current at VWM
ID
5.0
A
Typical temperature coefficient
of V(BR)
650
mV/°C
Typical capacitance (1)
at 0 V
CJ
90
pF
at 200 V
CJ
7.5
pF
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
SMAJ530
SMAJ550
UNIT
Typical thermal resistance junction-to-lead
RθJL
30
°C/W
Typical thermal resistance junction-to-ambient (1)
RθJA
120
°C/W
ORDERING INFORMATION
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PREFERRED PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
SMAJ530-E3/61
0.064
61
1800
7" Diameter Plastic Tape & Reel
SMAJ530-E3/5A
0.064
5A
7500
13" Diameter Plastic Tape & Reel
Figure 1. Peak Pulse Power Rating Curve
0.1
1
10
100
P
PPM
-
P
eak
P
u
lse
P
o
w
er
(k
W
)
td - Pulse Width (s)
Non-repetitive Pulse
Waveform shown in Fig. 3
TA = 25 °C
0.1 s
1.0 s
10 s
100 s
1.0 ms
10 ms
Figure 2. Pulse Power or Current versus Initial Junction Temperature
0
255075
100
75
50
25
0
125
150
175
200
TJ - Initial Temperature (°C)
Pe
a
k
P
u
lse
P
o
w
er
(P
PP
)or
C
u
rrent
(I
PP
)
Der
ating
in
P
e
rcentage
,%
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PDF描述
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SMDA05-6-TR 300 W, UNIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
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