參數(shù)資料
型號(hào)： SM12AT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 450 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318-08, SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 61K
代理商： SM12AT1G
SM12AT1
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.1
10
Figure 1. NonRepetitive Peak Pulse Power
versus Pulse Time
1
tp, PULSE DURATION (ms)
100
1000
1
0.1
0.01
Figure 2. Steady State Power Derating Curve
P
PP
,PEAK
PULSE
POWER
(kW)
0
25
50
75
100
125
150
175
300
250
200
150
100
50
0
TEMPERATURE (
°C)
FR5 BOARD
ALUMINA SUBSTRATE
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(mW)
100
Figure 3. 8
× 20 ms Pulse Waveform
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
020
4060
80
t, TIME (
ms)
tP
tr
PULSE WIDTH (tP) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAY = 8
ms
HALF VALUE IRSM/2 @ 20 ms
%
OF
PEAK
PULSE
CURRENT
PEAK VALUE IRSM @ 8 ms
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SM12B-GHS-TB(LF)(SN)- 制造商:JST Manufacturing 功能描述:CONN HEADER GH SIDE 12POS 1.25MM
SM12B-NSHSS-TB (LF)(SN) 制造商:JST Manufacturing 功能描述:CONN HEADER 12 POS R/A SMD 1.0MM
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