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BUZ111SLE3045A

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  • BUZ111SLE3045A
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

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  • BUZ111SLE3045A
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

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  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • - Bulk
BUZ111SLE3045A 技術(shù)參數(shù)
  • BUZ11_R4941 功能描述:MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:400 BUZ11_NR4941 功能描述:MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUZ10 功能描述:MOSFET N-CH 50V 23A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:900pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUY69A 功能描述:TRANS NPN 400V 10A TO-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:3.3V @ 2.5A，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 2.5A，10V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BUXD87T4 功能描述:TRANS NPN 450V 0.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 20mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:12 @ 40mA，5V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUZ31 H3045A BUZ31H3046XKSA1 BUZ31HXKSA1 BUZ31L BUZ31L E3044A BUZ31L H BUZ32 BUZ32 E3045A BUZ32 H BUZ32H3045AATMA1 BUZ73 BUZ73A BUZ73A H BUZ73A H3046 BUZ73AE3046XK BUZ73AL BUZ73ALHXKSA1 BUZ73E3046XK
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