BUZZER-KIT-ND

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BUZZER-KIT-ND
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
TDK
SMD
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： BV-001-3A BV-001-4A BV-002-1A BV002ASJ16049CW BV002ASQ20049CZ BV002BSQ20049CZ BV002SSQ160404CZ BV002SSQ200404CZ BV-003-1A

BUZZER-KIT-ND PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

BUZZER-KIT-ND PDF下載

功能描述
MAGNETIC BUZZER KIT
制造商
tdk corporation
系列
-
零件狀態(tài)
在售
套件類型
蜂鳴器
數(shù)量
22 件（11 個值 - 每個值 2 件）
安裝類型
通孔
規(guī)格
磁性
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

BUZZER-KIT-ND 技術(shù)參數(shù)

BUZ80A 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ73LHXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 3.5A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:840pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ73L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 3.5A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:840pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ73HXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ73H3046XKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BV020-5370.0 BV020-5371.0 BV020-5372.0 BV020-5373.0 BV020-5374.0 BV020-5375.0 BV020-5376.0 BV020-5377.0 BV020-5378.0 BV020-5382.0 BV020-5383.0 BV020-5384.0 BV020-5385.0 BV020-5386.0 BV020-5387.0 BV020-5388.0 BV020-5389.0 BV020-5390.0