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BUZ31HXKSA1

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  • BUZ31HXKSA1
    BUZ31HXKSA1

    BUZ31HXKSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

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  • BUZ31HXKSA1
    BUZ31HXKSA1

    BUZ31HXKSA1

  • 深圳市桂鵬科技有限公司
    深圳市桂鵬科技有限公司

    聯(lián)系人：田小姐/高先生/李小姐

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    地址：深圳市羅湖區(qū)寶安南路國都大廈-國麗15D（地王大廈周邊）

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 82810298

  • Infineon

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  • 1
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
BUZ31HXKSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BUZ31H3046XKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO262-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ31 H3045A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUZ31 E3046 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ31 E3045A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BUZ31 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BUZ73A H BUZ73A H3046 BUZ73AE3046XK BUZ73AL BUZ73ALHXKSA1 BUZ73E3046XK BUZ73H3046XKSA1 BUZ73HXKSA1 BUZ73L BUZ73LHXKSA1 BUZ80A BUZZER-KIT-ND BV-001-3A BV-001-4A BV-002-1A BV002ASJ16049CW BV002ASQ20049CZ BV002BSQ20049CZ
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