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BSO211PH

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  • BSO211PHXUMA1
    BSO211PHXUMA1

    BSO211PHXUMA1

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • TY/臺灣半導體

  • SOP8

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • BSO211PH
    BSO211PH

    BSO211PH

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • INFINEON/英飛凌

  • SOP-8

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • BSO211PHXUMA1
    BSO211PHXUMA1

    BSO211PHXUMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
BSO211PH PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全稱
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • OptiMOS P-Power-Transistor
BSO211PH 技術參數(shù)
  • BSO207PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 5.7A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1013pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO207PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 5.7A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 44μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1650pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO204PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 7A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 60μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1513pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO203SPNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2265pF @ 15V 功率 - 最大值:2.35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:1 BSO203SPHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:39nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3750pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8.9A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:P-DSO-8 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標準包裝:1 BSO303P H BSO303PHXUMA1 BSO303PNTMA1 BSO303SPHXUMA1 BSO303SPNTMA1 BSO330N02KGFUMA1 BSO350N03 BSO4410 BSO4410T BSO4420 BSO4420T BSO4804 BSO4804HUMA2 BSO4804T BSO4822 BSO4822T BSO604NS2XUMA1 BSO612CV
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