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BSO220N03MSGXUMA1

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  • BSO220N03MSGXUMA1
    BSO220N03MSGXUMA1

    BSO220N03MSGXUMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

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  • BSO220N03MSGXUMA1
    BSO220N03MSGXUMA1

    BSO220N03MSGXUMA1

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：0755-8320801015711992892

    地址：都會(huì)軒3607

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-DSO-8

  • 19+

  • -

  • 代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
BSO220N03MSGXUMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8
BSO220N03MSGXUMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSO220N03MD G 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 7.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:800pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO215C 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 3.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:246pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO211PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 4.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:920pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO211PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 4.6A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1095pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO207PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 5.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 40μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1013pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO330N02KGFUMA1 BSO350N03 BSO4410 BSO4410T BSO4420 BSO4420T BSO4804 BSO4804HUMA2 BSO4804T BSO4822 BSO4822T BSO604NS2XUMA1 BSO612CV BSO612CVGHUMA1 BSO613SPV BSO613SPV G BSO613SPVGHUMA1 BSO615C G
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