BSO330N02KGFUMA1

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BSO330N02KGFUMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
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BSO330N02KGFUMA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-DSO-8
19+
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代理直銷！進口原裝正品！

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin DSO
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A DSO8

BSO330N02KGFUMA1 技術參數

BSO303SPNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:69nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1754pF @ 25V 功率 - 最大值:2.35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:1 BSO303SPHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 9.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2330pF @ 25V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO303PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1761pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO303PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:49nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2678pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO303P H 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:49nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2678pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO4822T BSO604NS2XUMA1 BSO612CV BSO612CVGHUMA1 BSO613SPV BSO613SPV G BSO613SPVGHUMA1 BSO615C G BSO615CGHUMA1 BSO615CT BSO615N BSO615N G BSO615NGHUMA1 BSOF3S3E-010.0M BSP 51 E6327 BSP 52 E6327 BSP 60 E6433 BSP030,115