型號(hào): | SIR-481ST3F/LM |
元件分類: | 紅外LED |
英文描述: | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 73K |
代理商: | SIR-481ST3F/LM |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SIM-22ST | 1.5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
SIR-341ST3F | 3.1 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
SIR23-21C/TR8 | 1.6 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
SIR26-21C/L117/TR8 | 1.6 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
SIR67-21C/B/TR8 | 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SIR482DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SIR484DP | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
SIR484DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 20A 29.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SIR492DP | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
SIR492DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 40A 36W 3.8mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |