型號: | SIR67-21C/B/TR8 |
廠商: | EVERLIGHT ELECTRONICS CO LTD |
元件分類: | 紅外LED |
英文描述: | 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 1/10頁 |
文件大?。?/td> | 227K |
代理商: | SIR67-21C/B/TR8 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SIR67-21C/L9/TR10 | 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
SIR67-21C/TR8 | 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
SIR91-21C/TR7 | 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
SIR95-21C/TR7 | 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
SK44LT/R7 | 4 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SIR67-21C-TR8 | 制造商:EVERLIGHT 制造商全稱:Everlight Electronics Co., Ltd 功能描述:Top Infrared LED |
SIR688DP-T1-GE3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:N-CH POWERPAK SO-8 BWL SPLIT GATE 60V 3.5MOHM@10V - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Ch PowerPAK SO-8 BWL split gate 60V 3.5mohm@10V |
SIR698DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 7.5A 23W 195mOhm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SIR770DP | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
SIR770DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |