參數(shù)資料
型號： SIHVM12.5
廠商： SENSITRON SEMICONDUCTOR
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述： 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
文件頁數(shù)： 9/14頁
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代理商： SIHVM12.5
221 West Industry Court 3 Deer Park, NY 11729-4681 3 (631) 586-7600 FAX (631) 249798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
(A) ±0.030 (0.762)
See Table
.50(12.70)
.051±0.003
(1.29±0.0762)
Dia.
2.0
(50.8)
Min.
.250(6.35)
SENSITRON
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 961, REV. -
Mechanical Dimensions in: mm / inches
SICFS2000
SICFS8000
SICFS4000
SICFS10000
SICFS6000
SICFS12000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SICH12500 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SICF12500 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SICH5000 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SIDC07D60AF6 22.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SIDC09D60F6 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SiHW22N65E-GE3 功能描述:MOSFET 650V 180mOhms@10V 22A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:+/- 20 V 漏極連續(xù)電流:22 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.18 Ohms 配置:Single 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247 AD 封裝:Bulk
SIHW23N60E-GE3 功能描述:MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:20 V 漏極連續(xù)電流:23 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.158 Ohms 配置:Single 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247AD-3 封裝:Bulk
SIHW30N60E-GE3 功能描述:MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIHW30N60E-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N CH 600V 29A TO-247AD-3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-247AD-3
SIHW33N60E-GE3 功能描述:MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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