參數資料
型號： SIHVM12.5
廠商： SENSITRON SEMICONDUCTOR
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關、功率)
英文描述： 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
文件頁數： 8/14頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： SIHVM12.5
221 West Industry Court 3 Deer Park, NY 11729-4681 3 (631) 586-7600 FAX (631) 249798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
tSENSITRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 961, REV. -
HIGH VOLTAGE, HIGH DENSITY, FAST RECOVERY LEADED
INDUSTRIAL GRADE SILICON RECTIFIER ASSEMBLY
FEATURES:
Low reverse recovery time
V
R = 2000V – 12000V
Low reverse leakage current
I
F = 1.5A
High thermal shock resistance
I
R = 5.0A
Corona free construction
t
rr =150ns
Low distributed capacitance
Absolute Maximum Ratings
TYPE
NUMBER
PEAK
INVERSE
VOLTAGE
(PIV)
MAX. AVG.
DC
OUTPUT
CURRENT
IF(AV)
Amps
REPETITIVE
SURGE
CURRENT
IFRM
________
Amps
1 CYCLE SURGE
CURRENT
tp = 8.3ms (sine)
IFSM
Amps
I
2t
tp = 8.3ms
@ 25
°C
PACKAGE
LENGTH
Volts
55
°C
100
°C
25
°C
25
°C
A
2S
Inches
SICFS2000
SICFS4000
SICFS6000
SICFS8000
SICFS10000
SICFS12000
2000
4000
6000
8000
10000
12000
1.5
1.0
10
100
40
1.53
2.53
3.53
4.53
5.53
6.53
Electrical Characteristics
TYPE
NUMBER
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
@ PIV
IR
Amps
MAXIMUM
PEAK
FORWARD
VOLTAGE
VF @ IF
MAXIMUM
REVERSE
RECOVERY
TIME
trr @ 25
°C
25
°C
100
°C
V
A
nsec
SICFS2000
SICFS4000
SICFS6000
SICFS8000
SICFS10000
SICFS12000
5.0
25
5.4
9.0
12.6
16.2
19.8
23.4
3.0
150
Notes:
- Operating temperature range –40 to +125°C.
- Storage temperature range –40 to +125°C.
Measured on discrete devices prior to assembly.
SICFS2000
SICFS8000
SICFS4000
SICFS10000
SICFS6000
SICFS12000
相關PDF資料
PDF描述
SICH12500 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SICF12500 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SICH5000 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SIDC07D60AF6 22.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SIDC09D60F6 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關代理商/技術參數
參數描述
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SIHW23N60E-GE3 功能描述:MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:20 V 漏極連續(xù)電流:23 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.158 Ohms 配置:Single 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247AD-3 封裝:Bulk
SIHW30N60E-GE3 功能描述:MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIHW30N60E-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N CH 600V 29A TO-247AD-3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-247AD-3
SIHW33N60E-GE3 功能描述:MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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