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參數資料
| 型號： | SIGC121T60NR2C |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | IGBT Chip in NPT-technology |
| 中文描述： | 在不擴散核武器條約IGBT芯片技術 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | SIGC121T60NR2C |
SIGC121T60NR2C
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7292-M, Edition 2, 28.11.2003
IGBT Chip in NPT-technology
FEATURES:
600V NPT technology 100μm chip
positive temperature coefficient
easy paralleling
integrated gate resistor
This chip is used for:
IGBT Modules
Applications:
drives
G
C
E
Chip Type
V
CE
I
Cn
Die Size
Package
Ordering Code
Q67041-A4684-
A001
SIGC121T60NR2C 600V
150A
11 x 11 mm
2
sawn on foil
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
11 x 11
Area total / active
121 / 102.5
Emitter pad size
8 x 6.2 x 2.55
Gate pad size
1.51 x 0.8
mm
2
Thickness
100
μm
Wafer size
150
mm
Flat position
90
grd
Max.possible chips per wafer
106
Passivation frontside
Photoimide
Emitter metallization
3200 nm Al Si 1%
Collector metallization
1200 nm Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Die bond
electrically conductive glue or solder
Wire bond
Al, <500μm
Reject Ink Dot Size
0.65mm ; max 1.2mm
Recommended Storage Environment
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month at an ambient temperature of 23°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIGC128T170R3 | IGBT3 Chip |
| SIGC12T120L | IGBT3 Chip |
| SIGC12T120 | IGBT Chip |
| SIGC12T60NC | IGBT Chip in NPT-technology |
| SIGC144T170R2C | IGBT Chip in NPT-technology |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SIGC128T170R3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT3 Chip |
| SIGC12T120 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Chip |
| SIGC12T120L | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT3 Chip |
| SIGC12T60NC | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Chip in NPT-technology |
| SIGC12T60SNC | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Chip in NPT-technology 600V NPT technology positive temperature coefficient |
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