參數(shù)資料
型號： SICF10000
廠商： SENSITRON SEMICONDUCTOR
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述： 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
文件頁數(shù)： 14/14頁
文件大小： 98K
代理商： SICF10000
221 West Industry Court 3 Deer Park, NY 11729-4681 3 (631) 586-7600 FAX (631) 249798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
tSENSITRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 964, REV. -
HIGH VOLTAGE, HIGH DENSITY, FAST RECOVERY
INDUSTRIAL GRADE MODULAR RECTIFIER ASSEMBLY
FEATURES:
Low reverse recovery time
V
R = 2500V – 7500V
Low reverse leakage currents
I
F = 0.8 - 2.4A
High thermal shock resistance
I
FSM = up to 130A
Modular construction
t
rr = 150ns
Low distributed capacitance
Absolute Maximum Ratings
TYPE
NUMBER
PEAK
INVERSE
VOLTAGE
(PIV)
MAX. AVG.
DC
OUTPUT
CURRENT
(AIR)
IF(AV)
Amps
STUD TO
HEAT-SINK
@ 25
°C
IN STILL OIL
@ 55
°C
1 CYCLE
SURGE
CURREN
T IFSM
tp = 8.3ms
@ TJ MAX
I
2t
tp = 8.3ms
REPETITIVE
SURGE
CURRENT
IFRM @ 25
°C
Volts
25
°C
100
°C
Amps
A
2S
Amps
SI2HVM2.5F
SI2HVM5F
SI2HVM7.5
SI3HVM2.5F
SI3HVM5F
SI6HVM2.5F
2500
5000
7500
2500
5000
2500
2.0
1.2
0.8
2.4
1.2
2.4
0.8
0.5
0.3
1.0
0.5
1.0
2.0
1.5
3.0
2.5
5.0
2.0
3.0
6.0
32
70
130
4.25
20
70
11
20
35
MAXIMUM THERMAL IMPEDANCES
Junction to Ambient
RθJC < 12°C/W
Junction to Stud
RθJS < 6°C/W
Junction to Oil
RθJO < 4.5°C/W
Electrical Characteristics
TYPE
NUMBER
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
@ PIV
IR
Amps
MAXIMUM
PEAK
FORWARD
VOLTAGE
VF @ IF
MAXIMUM
REVERSE
RECOVERY
TIME
trr @ 25
°C
25
°C
100
°C
V
A
nsec
SI2HVM2.5F
SI2HVM5F
SI2HVM7.5F
SI3HVM2.5F
SI3HVM5F
SI6HVM2.5F
1.0
5.0
10.0
25.0
50.0
6.0
12
18
6.0
12
6.0
@ 1.0
@ 3.0
@ 6.0
150
Notes:
- Operating temperature range –40 to +125°C.
- Storage temperature range –40 to +125°C.
(Temperature range is given for Hermetic Diodes)
Measured on discrete devices prior to assembly.
SI2HVM2.5F
SI3HVM2.5F
SI2HVM5F
SI3HVM5F
SI2HVM7.5F
SI6HVM2.5F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SICH10000 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SICH15000 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SICH7500 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SI2HVM15 0.8 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SIHVM7.5 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
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